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参数目录42159
> IRLML2060TRPBF MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
型号:
IRLML2060TRPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRLML2060TRPBF PDF
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
480 毫欧 @ 1.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
0.67nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
64pF @ 25V
功率 - 最大
1.25W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
Micro3?/SOT-23
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1523 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IRLML2060TRPBFCT
查看IRLML2060TRPBF代理商
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