型号:

IRLML2060TRPBF

RoHS:无铅 / 符合
制造商:International Rectifier描述:MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IRLML2060TRPBF PDF
标准包装 1
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 480 毫欧 @ 1.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.5V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 0.67nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 64pF @ 25V
功率 - 最大 1.25W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 Micro3?/SOT-23
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1523 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRLML2060TRPBFCT
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